您當前位置：網站首頁 > 新聞資訊新聞資訊
集成電路潔凈室AMC在線監測
2024/10/10
半導體制程工藝的不斷進步，精度的不斷提高，制程越來越復雜，不僅僅是制程設備的精益求精，將有更多新器件、更多芯片堆疊和系統創新來提升性能、能耗和成本，降成本最佳辦法是縮小多晶硅間距、金屬互聯距離、電路單元厚度和晶圓材料提升，對于潔凈室中存在的氣態分子污染物（AMC）的監測和管控的要求也越來越高。
任何漂浮在空氣中的污染物沉積在晶圓表面，都會影響工藝降低良品率。由于制程的眾多復雜步驟，導致PPT級的污染物都會較大程度的影響晶圓良品率。面對日益精進的制程工藝，AMC監測技術也在不斷升級，AMC在線監測系統，將內部與外部污染源實時監控，極高靈敏度和濃度報警機制，能及時反饋給廠務端，從而控制好污染物釋放，保證良品率。
在集成電路產業按照摩爾定律不斷發展的今天，如何在大規模生產納米級芯片時保證產品良率，成為全球集成電路行業所要攻克的難題。
氣態分子污染物（Airborne Molecular Contaminants）簡稱AMC，其尺寸和目前納米級芯片中的晶體管尺寸相近，它的存在會污染晶圓表面、改變DUV光刻膠的化學性質，從而危及產品質量。
AMC是什么
AMC是指存在于大氣中的一類微小分子污染物，主要以氣態形式存在，其大小比顆粒污染物小得多，其主要的危害是影響先進制程的良率。AMC主要來源
外部大氣污染：
環境空氣污染
交通廢氣 NOx
工業排放 SO2、NOx
農業污染逸散 NH3H2S
廠內空氣二次污染
外部大氣污染：
建筑材料逸散
化學品異常泄露
潔凈室維護、保養等使用的化學品逸散
新風過濾器材料中硼的逸散
操作人員呼吸等排除的廢氣
國際半導體產業協會SEMI對AMC的分類
AMC對制程的影響
導致光阻層表面硬化T型缺陷硼磷摻雜不受控
導致不能控制蝕刻速度，鄰苯二甲酸二丁酯（DOP）易附著于晶片表面形成碳化硅SiC
引起閾值電壓改變，硼元素、三氟化硼等氣態污染物，會引起晶片表面污染
污染物氣體如氟化氫、氯化氫、硫酸、磷酸、氯氣、氮氧化合物等，引起晶片表面污染，導致金屬化制成中的金屬附著力下降
污染氣體導致芯片內連接導線因腐蝕而報廢
造成掩模及步進設備上光學鏡面模糊
導致設施和設備因腐蝕而停機
AMC在線監測系統
實踐證明，實驗室采樣分析這類以天為單位的監測效率，已無法滿足各大集成電路生產商對于空氣質量管控的要求。AMC在線監測系統可利用一套分析儀表，支持潔凈室內多點位周期性采樣分析，讓用戶實時監管生產車間內的空氣環境，及時鎖定超出SPEC的區域，并采取復測、溯源等措施，將AMC所產生的危害降至最低。
